IQDH88N06LM5CGSCATMA1

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 — электронный компонент Infineon Technologies, категория Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы. Характеристики: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150. Закупки и

Какие компоненты поставляются со склада?

В наличии у Apex-Chip электроника ОАО есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.

Как запросить цену по артикулу?

Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.

Поддерживается ли подбор по BOM?

Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.

Номер детали:
IQDH88N06LM5CGSCATMA1
Производитель:
Infineon Technologies
Другие номера деталей:
-
Описание:
OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Спецификация:
PDF

Характеристики продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (макс.) ±20V
FET Особенности -
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Класс -
Квалификация -
Напряжение сток-исток (Vdss) 60 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
Корпус 9-PowerWDFN
Рассеиваемая мощность (максимальная) 3W (Ta), 333W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 42A (Ta), 447A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 0.86mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id 2.3V @ 163µA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 14000 pF @ 30 V
Поставщик Устройство Корпус PG-WHTFN-9-U02
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 95 nC @ 4.5 V