IMT40R025M2HXTMA1

IMT40R025M2HXTMA1 — электронный компонент Infineon Technologies, категория Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы. Характеристики: SIC-MOS. Закупки и разработка могут сверить мар

Какие компоненты поставляются со склада?

В наличии у Apex-Chip электроника ОАО есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.

Как запросить цену по артикулу?

Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.

Поддерживается ли подбор по BOM?

Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.

Номер детали:
IMT40R025M2HXTMA1
Производитель:
Infineon Technologies
Другие номера деталей:
-
Описание:
SIC-MOS
Спецификация:
PDF

Характеристики продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Тип полевого транзистора N-Channel
FET Особенности -
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Класс -
Квалификация -
Напряжение сток-исток (Vdss) 400 V
Технология SiCFET (Silicon Carbide)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 36 nC @ 18 V
Корпус 8-PowerSFN
Рассеиваемая мощность (максимальная) 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Поставщик Устройство Корпус PG-HSOF-8-2
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 15V, 18V
Vgs (макс.) +23V, -7V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 9A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 32.1mOhm @ 15.7A, 18V
Vgs(th) (макс.) при Id 5.6V @ 5.6mA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1690 pF @ 200 V