IMLT65R040M2HXTMA1

IMLT65R040M2HXTMA1 — электронный компонент Infineon Technologies, категория Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы. Характеристики: SICFET N-CH 650V 57A HDSOP-16. Закупки и разра

Какие компоненты поставляются со склада?

В наличии у Apex-Chip электроника ОАО есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.

Как запросить цену по артикулу?

Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.

Поддерживается ли подбор по BOM?

Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.

Номер детали:
IMLT65R040M2HXTMA1
Производитель:
Infineon Technologies
Другие номера деталей:
-
Описание:
SICFET N-CH 650V 57A HDSOP-16
Спецификация:
PDF

Характеристики продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Тип полевого транзистора N-Channel
FET Особенности -
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Класс -
Квалификация -
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 57A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss) 650 V
Рассеиваемая мощность (максимальная) 268W (Tc)
Технология SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 15V, 18V
Vgs (макс.) +23V, -7V
Корпус 16-PowerSOP Module
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 28 nC @ 18 V
Vgs(th) (макс.) при Id 5.6V @ 4.6mA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 997 pF @ 400 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 49mOhm @ 22.9A, 18V
Поставщик Устройство Корпус PG-HDSOP-16-6