GS0650306LLMRXUMA1

GS0650306LLMRXUMA1 — электронный компонент Infineon Technologies, категория Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы. Характеристики: GAN POWER TRANSISTOR. Закупки и разработка мог

Какие компоненты поставляются со склада?

В наличии у Apex-Chip электроника ОАО есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.

Как запросить цену по артикулу?

Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.

Поддерживается ли подбор по BOM?

Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.

Номер детали:
GS0650306LLMRXUMA1
Производитель:
Infineon Technologies
Другие номера деталей:
-
Описание:
GAN POWER TRANSISTOR
Спецификация:
PDF

Характеристики продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Тип полевого транзистора N-Channel
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеиваемая мощность (максимальная) -
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 40A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss) 700 V
Технология GaNFET (Gallium Nitride)
Корпус 8-PowerSFN
Поставщик Устройство Корпус TOLL
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 6V
Vgs (макс.) +7V, -10V
Vgs(th) (макс.) при Id 2.6V @ 7.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 6.7 nC @ 6 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 235 pF @ 400 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 58mOhm @ 5.5A, 6V