IMDQ75R016M2HXTMA1

IMDQ75R016M2HXTMA1はInfineon Technologiesの電子部品型番で、分類はシングル FET、MOSFET。仕様:IMDQ75R016M2HXTMA1。購買と開発担当は、この型番でブランドと仕様を確認して見積を依頼できます。

在庫で供給している部品はどれですか?

エクスチップエレクトロニクス株式会社の在庫には、集積回路(IC)、抵抗器、コンデンサ、インダクタ、ダイオードが含まれます。型番ページで品番、ブランド、仕様を確認し、パラメータ確認後に見積依頼で数量と納期を確認できます。正規在庫は見積依頼時の在庫が基準です。

品番で見積を依頼するには?

まず型番ページを開き、品番でブランド、パッケージ、電気仕様が要件と一致することを確認してから見積を送信してください。見積には品番、数量、希望納期を記載してください。複数部品の場合は BOM 照合を使い、一覧に一度で記載してください。

BOM 照合には対応していますか?

対応しています。品番、数量、ブランドをお送りください。集積回路、抵抗器、コンデンサ、インダクタなどの項目を現在の在庫と照合し、納品できる数量と発注が必要な行を返信します。

部品番号:
IMDQ75R016M2HXTMA1
メーカー:
Infineon Technologies
その他の部品番号:
-
説明:
IMDQ75R016M2HXTMA1
仕様書:
PDF

製品属性

部品ステータス Active
実装タイプ Surface Mount
FETタイプ N-Channel
FETフィーチャー -
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
グレード -
認定 -
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 103A (Tc)
テクノロジー SiCFET (Silicon Carbide)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 15V, 20V
Vgs(最大) +23V, -7V
パッケージ / ケース 22-PowerBSOP Module
最大消費電力 394W (Tc)
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs 74 nC @ 18 V
サプライヤーデバイスパッケージ PG-HDSOP-22
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 840 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 55.8A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.6V @ 12.3mA
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds 2577 pF @ 500 V