TC6321T-V/9U
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Мощность - Максимальная | - |
| Конфигурация | N and P-Channel |
| FET Особенности | Logic Level Gate |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 2A (Ta) |
| Корпус | 8-VDFN Exposed Pad |
| Поставщик Устройство Корпус | 8-VDFN (6x5) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200V |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 7Ohm @ 1A, 10V, 8Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2V @ 1mA, 2.4V @ 1mA |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 110pF @ 25V, 200pF @ 25V |