SH63N65DM6AG
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 53A (Tc) |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 80nC @ 10V |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4.75V @ 250µA |
| Корпус | 9-PowerSMD |
| Поставщик Устройство Корпус | 9-ACEPACK SMIT |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 23A, 10V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3344pF @ 100V |
| Мощность - Максимальная | 424W (Tc) |