SCT070H120G3-7
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Корпус | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 30A (Tc) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 223W (Tc) |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Поставщик Устройство Корпус | H2PAK-7 |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 15V, 18V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4.2V @ 1mA |
| Vgs (макс.) | +18V, -5V |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 87mOhm @ 15A, 18V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 37.0 |
| Напряжение, связанное с зарядом затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 18.0 |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 900.0 |
| Напряжение, связанное с входной ёмкостью (Ciss) (макс.) @ Vds | 850.0 |