SCT019H120G3AG
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | Automotive |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Корпус | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 100A (Tc) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 555W (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 15V, 18V |
| Поставщик Устройство Корпус | HU3PAK |
| Vgs (макс.) | +18V, -5V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4.2V @ 2.3mA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 121 nC @ 18 V |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 50A, 18V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3465 pF @ 800 V |