MSCSM120TLM11CAG
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| FET Особенности | - |
| Корпус | Module |
| Рабочая температура | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Технология | Silicon Carbide (SiC) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Конфигурация | 4 N-Channel (Three Level Inverter) |
| Поставщик Устройство Корпус | SP6C |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 10.4mOhm @ 120A, 20V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2.8V @ 3mA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 696nC @ 20V |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 251A (Tc) |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 9000pF @ 1000V |
| Мощность - Максимальная | 1042W (Tc) |