MSC360SMA120SDT/R

Номер детали:
MSC360SMA120SDT/R
Производитель:
Microchip Technology
Other Part Numbers:
-
Описание:
MOSFET SIC 1200 V 360 MOHM TO-26
Datasheet:
PDF

Product Attributes

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Тип полевого транзистора N-Channel
FET Особенности -
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Класс -
Квалификация -
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 12A (Tc)
Корпус TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs(th) (макс.) при Id 5V @ 250µA
Поставщик Устройство Корпус TO-263-7
Напряжение сток-исток (Vdss) 1200 V
Рассеиваемая мощность (максимальная) 92W (Tc)
Технология SiCFET (Silicon Carbide)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 21 nC @ 20 V
Vgs (макс.) +23V, -10V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 18V, 20V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 450mOhm @ 5A, 20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 258 pF @ 1.2 kV