MSC080SMA120SDT/R
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Корпус | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 35A (Tc) |
| Поставщик Устройство Корпус | TO-263-7 |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2.8V @ 1mA |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 20V |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 182W (Tc) |
| Технология | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Vgs (макс.) | +23V, -10V |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 15A, 20V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 64 nC @ 20 V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 838 pF @ 1000 V |