MSC025SMA330B4N
Product Attributes
| Тип монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 106A (Tc) |
| Корпус | TO-247-4 |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 800W (Tc) |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Поставщик Устройство Корпус | TO-247-4 |
| Vgs (макс.) | +23V, -10V |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 40A, 20V |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 18V, 20V |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 3300 V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 410 nC @ 20 V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 5V @ 7mA |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 7080 pF @ 2400 V |