MSC025SMA120B4N
Product Attributes
| Тип монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V |
| Корпус | TO-247-4 |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 5V @ 3mA |
| Технология | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 113A (Tc) |
| Поставщик Устройство Корпус | TO-247-4 |
| Vgs (макс.) | +23V, -10V |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 577W (Tc) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 40A, 20V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 232 nC @ 20 V |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 18V, 20V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3633 pF @ 1000 V |