M2P45M12W2-1LA
Product Attributes
| Тип монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 30A (Tc) |
| Мощность - Максимальная | - |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 5V @ 1mA |
| Рабочая температура | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Технология | Silicon Carbide (SiC) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 100nC @ 18V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2086pF @ 800V |
| Корпус | 32-PowerDIP Module (1.264", 32.10mm) |
| Поставщик Устройство Корпус | ACEPACK DMT-32 |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 60.5mOhm @ 20A, 18V |
| Конфигурация | 6 N-Channel (Three Phase Inverter) |