ISK018NE1LM7ATSA1

Номер детали:
ISK018NE1LM7ATSA1
Производитель:
Infineon Technologies
Other Part Numbers:
-
Описание:
ISK018NE1LM7AULA1 MOSFET
Datasheet:
PDF

Product Attributes

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология MOSFET (Metal Oxide)
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 7V
Напряжение сток-исток (Vdss) 15 V
Vgs (макс.) ±7V
Корпус 6-PowerVDFN
Поставщик Устройство Корпус PG-VSON-6-1
Рассеиваемая мощность (максимальная) 2.1W (Ta), 39W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 30A (Ta), 129A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 1.8mOhm @ 20A, 7V
Vgs(th) (макс.) при Id 2V @ 106µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 13.6 nC @ 7 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1600 pF @ 7.5 V