IRLB4030PBFXKMA1
Product Attributes
| Тип монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Поставщик Устройство Корпус | TO-220AB |
| Корпус | TO-220-3 |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2.5V @ 250µA |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (макс.) | ±16V |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 180A (Tc) |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 370W (Tc) |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 130 nC @ 4.5 V |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 110A, 10V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 11360 pF @ 50 V |