IRFHM8363TRPBF
Product Attributes
| Статус детали | Obsolete |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Особенности | Logic Level Gate |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 15nC @ 10V |
| Корпус | 8-PowerVDFN |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2.35V @ 25µA |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 11A |
| Мощность - Максимальная | 2.7W |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 14.9mOhm @ 10A, 10V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1165pF @ 10V |
| Поставщик Устройство Корпус | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |