IRFH7911TRPBF
Product Attributes
| Статус детали | Obsolete |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Особенности | Logic Level Gate |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2.35V @ 25µA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 12nC @ 4.5V |
| Поставщик Устройство Корпус | PQFN (5x6) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 13A, 28A |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 8.6mOhm @ 12A, 10V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1060pF @ 15V |
| Мощность - Максимальная | 2.4W, 3.4W |
| Корпус | 18-PowerVQFN |