IRFB4110PBFXKMA1
Product Attributes
| Тип монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 10V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Поставщик Устройство Корпус | TO-220AB |
| Корпус | TO-220-3 |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 210 nC @ 10 V |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 120A (Tc) |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 370W (Tc) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 75A, 10V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 9620 pF @ 50 V |