IRF9910TRPBF-1
Product Attributes
| Статус детали | Obsolete |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Поставщик Устройство Корпус | 8-SOIC |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2.55V @ 250µA |
| Мощность - Максимальная | 2W (Ta) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 10A (Ta), 12A (Ta) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 13.4mOhm @ 10A, 10V, 9.3mOhm @ 12A, 10V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 11nC @ 4.5V, 23nC @ 4.5V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 900pF @ 10V, 1860pF @ 10V |