IRF9393TRPBFXTMA1
Product Attributes
| Статус детали | Last Time Buy |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Поставщик Устройство Корпус | 8-SOIC |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 2.5W (Ta) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V |
| Vgs (макс.) | ±25V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1110 pF @ 25 V |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 9.2A (Ta) |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2.4V @ 25µA |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 4.5V, 20V |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 13.3mOhm @ 9.2A, 20V |