IRF7341TRPBFXTMA1
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 1V @ 250µA |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Особенности | Logic Level Gate |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 55V |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 4.7A (Tc) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 4.7A, 10V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 36nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 740pF @ 25V |
| Мощность - Максимальная | 2W (Tc) |
| Поставщик Устройство Корпус | PG-DSO-8-902 |