IRF6723M2DTR1P
Product Attributes
| Статус детали | Obsolete |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Особенности | Logic Level Gate |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 14nC @ 4.5V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2.35V @ 25µA |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 15A |
| Мощность - Максимальная | 2.7W |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 6.6mOhm @ 15A, 10V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1380pF @ 15V |
| Корпус | DirectFET™ Isometric MA |
| Поставщик Устройство Корпус | DIRECTFET™ MA |