IRF40H233ATMA1
Product Attributes
| Статус детали | Obsolete |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 65A (Tc) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40V |
| Корпус | 8-PowerVDFN |
| Поставщик Устройство Корпус | PG-TDSON-8-4 |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 3.9V @ 50µA |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 6.2mOhm @ 35A, 10V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 57nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2200pF @ 20V |
| Мощность - Максимальная | 3.8W (Ta), 50W (Tc) |