IRF200B211XKMA1
Product Attributes
| Статус детали | Obsolete |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 10V |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Корпус | TO-220-3 |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 12A (Tc) |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 80W (Tc) |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4.9V @ 50µA |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 790 pF @ 50 V |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 7.2A, 10V |
| Поставщик Устройство Корпус | PG-TO220-3-904 |