IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (макс.) | ±16V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 110 nC @ 4.5 V |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 25 V |
| Корпус | 9-PowerWDFN |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 75A (Ta), 789A (Tc) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 0.29mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2V @ 1.448mA |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 17000 pF @ 12 V |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 2.5W (Ta), 278W (Tc) |
| Поставщик Устройство Корпус | PG-WHTFN-9-U02 |