IPT65R025CM8XTMA1
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 10V |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 124 nC @ 10 V |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 543W (Tc) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 101A (Tc) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 40A, 10V |
| Корпус | 8-PowerSFN |
| Поставщик Устройство Корпус | PG-HSOF-8 |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4.7V @ 1.06mA |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 5910 pF @ 400 V |