IPT023N10NM5LF2ATMA1
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 3.8W (Ta), 300W (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 10V, 15V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 12000 pF @ 50 V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 144 nC @ 10 V |
| Поставщик Устройство Корпус | PG-HSOF-8-1 |
| Корпус | 8-PowerSFN |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 27A (Ta), 243A (Tc) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 100A, 15V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 3.9V @ 193µA |