IPQC60T022S7XTMA1
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 600 V |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 90A (Tc) |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 416W (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 12V |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 23A, 12V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 150 nC @ 12 V |
| Поставщик Устройство Корпус | PG-HDSOP-22-1 |
| Корпус | 22-PowerBSOP Module |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 5640 pF @ 300 V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4.5V @ 1.43mA |