IPG20N10S4L22ATMA1
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | Automotive |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Особенности | Logic Level Gate |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 27nC @ 10V |
| Корпус | 8-PowerVDFN |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100V |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 17A, 10V |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 20A |
| Поставщик Устройство Корпус | PG-TDSON-8-4 |
| Мощность - Максимальная | 60W |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2.1V @ 25µA |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1755pF @ 25V |