IPG20N06S415ATMA2
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | Automotive |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4V @ 20µA |
| Корпус | 8-PowerVDFN |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 29nC @ 10V |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 20A |
| Поставщик Устройство Корпус | PG-TDSON-8-4 |
| Мощность - Максимальная | 50W |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 15.5mOhm @ 17A, 10V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2260pF @ 25V |