IPG20N06S2L65AAUMA1
Product Attributes
| Статус детали | Obsolete |
|---|---|
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 20A (Tc) |
| FET Особенности | Logic Level Gate |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 12nC @ 10V |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 55V |
| Корпус | 8-PowerVDFN |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2V @ 14µA |
| Тип монтажа | Surface Mount, Wettable Flank |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 15A, 10V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 410pF @ 25V |
| Поставщик Устройство Корпус | PG-TDSON-8-10 |
| Мощность - Максимальная | 43W (Tc) |