IPDQ65R008CM8XTMA1
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 10V |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 375 nC @ 10 V |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 270A (Tc) |
| Корпус | 22-PowerBSOP Module |
| Поставщик Устройство Корпус | PG-HDSOP-22 |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4.7V @ 3.24mA |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 1.249kW (Tc) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 125A, 10V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 18004 pF @ 400 V |