IPD030N03LF2SATMA1
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Корпус | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 4.5V, 10V |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2200 pF @ 15 V |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 3W (Ta), 83W (Tc) |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2.35V @ 40µA |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 24A (Ta), 99A (Tc) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 3.05mOhm @ 60A, 10V |
| Поставщик Устройство Корпус | PG-TO252-3-34 |