IPB35N10S3L26ATMA2
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | Automotive |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 4.5V, 10V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2700 pF @ 25 V |
| Корпус | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 35A (Tc) |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Поставщик Устройство Корпус | PG-TO263-3-2 |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 71W (Tc) |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2.4V @ 39µA |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 26.3mOhm @ 35A, 10V |