IPB057N15NM6ATMA1
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Корпус | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 150 V |
| Поставщик Устройство Корпус | PG-TO263-3-2 |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4000 pF @ 75 V |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 8V, 15V |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 17A (Ta), 128A (Tc) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 5.4mOhm @ 52A, 15V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4V @ 112µA |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 3.8W (Ta), 211W (Tc) |