IMWH170R450M1XKSA1
Product Attributes
| Тип монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Корпус | TO-247-3 |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 111W (Tc) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 10A (Tj) |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1700 V |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 12V, 15V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 5.7V @ 2.6mA |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 390mOhm @ 2A, 15V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 11.7 nC @ 12 V |
| Vgs (макс.) | 15V, 12V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 506 pF @ 1000 V |
| Поставщик Устройство Корпус | PG-TO247-3-U04 |