IMT65R50M2HXUMA1
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Корпус | 8-PowerSFN |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650V |
| Поставщик Устройство Корпус | PG-HSOF-8-2 |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 5.6V @ 3.7mA |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 62mOhm @ 18.2A, 18V |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 48.1A (Tc) |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 22nC @ 18V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 790pF @ 400V |
| Мощность - Максимальная | 237W (Tc) |