IMDQ65R007M2HXUMA1
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 937W (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 15V, 20V |
| Vgs (макс.) | +23V, -7V |
| Поставщик Устройство Корпус | PG-HDSOP-22-1 |
| Корпус | 22-PowerBSOP Module |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 6.1mOhm @ 146.3A, 20V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 5.6V @ 29.7mA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 179 nC @ 18 V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6359 pF @ 400 V |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 196A (Tc) |