IMBG65R007M2HXTMA1
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Корпус | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 789W (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 15V, 20V |
| Vgs (макс.) | +23V, -7V |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 238A (Tc) |
| Поставщик Устройство Корпус | PG-TO263-7-12 |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 179 nC @ 18 V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6359 pF @ 400 V |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 146.3A, 18V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 5.6V @ 2.97mA |