IMBG120R034M2HXTMA1
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Корпус | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 58A (Tc) |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 278W (Tc) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V |
| Поставщик Устройство Корпус | PG-TO263-7 |
| Технология | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 15V, 18V |
| Vgs (макс.) | +23V, -7V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 45 nC @ 18 V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 5.1V @ 6.4mA |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1510 pF @ 800 V |