IGT65R025D2ATMA1
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 70A (Tc) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | - |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | - |
| Технология | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 236W (Tc) |
| Корпус | 8-PowerSFN |
| Vgs (макс.) | -10V |
| Поставщик Устройство Корпус | PG-HSOF-8 |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 1.6V @ 6.1mA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 11 nC @ 3 V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 780 pF @ 400 V |