IAUCN08S7L110ATMA1
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | Automotive |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (макс.) | ±16V |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 20A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 58W (Tc) |
| Корпус | 8-PowerTDFN |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2V @ 14µA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 19.3 nC @ 10 V |
| Поставщик Устройство Корпус | PG-TDSON-8-34 |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 50A (Tj) |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1056 pF @ 40 V |