GS0650116LRMRXUSA1
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | - |
| Корпус | 8-VDFN Exposed Pad |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 700 V |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 12.2A (Tc) |
| Технология | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 6V |
| Vgs (макс.) | +7V, -10V |
| Поставщик Устройство Корпус | 8-PDFN (8x8) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 3.2A, 6V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2.6V @ 2.4mA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 2.2 nC @ 6 V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 70 pF @ 400 V |