FS13MR12W2M1HB70BPSA1
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Поставщик Устройство Корпус | - |
| Рабочая температура | - |
| FET Особенности | - |
| Тип монтажа | - |
| Корпус | - |
| Конфигурация | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 62.5A (Tc) |
| Технология | Silicon Carbide (SiC) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 11.7mOhm @ 62.5A, 18V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 5.15V @ 28mA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 200nC @ 18V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6050pF @ 800V |