FF6MR20W2M1HB70BPSA1
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Поставщик Устройство Корпус | - |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Корпус | Module |
| Мощность - Максимальная | - |
| Рабочая температура | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Технология | Silicon Carbide (SiC) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 2000V (2kV) |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 5.15V @ 112mA |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 24100pF @ 1.2kV |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 160A (Tj) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 8.1mOhm @ 160A, 18V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 780nC @ 3V |