FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| FET Особенности | - |
| Корпус | Module |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Мощность - Максимальная | - |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| Поставщик Устройство Корпус | Module |
| Технология | Silicon Carbide (SiC) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 200A (Tj) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 5.63mOhm @ 200A, 15V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 5.55V @ 80mA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 496nC @ 15V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 14700pF @ 800V |