FF55MR12W1M1HB11BPSA1
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Поставщик Устройство Корпус | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Корпус | Module |
| Мощность - Максимальная | - |
| Рабочая температура | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Технология | Silicon Carbide (SiC) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 15A (Tj) |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 5.15V @ 6mA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 45nC @ 18V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1350pF @ 800V |
| FET Особенности | Silicon Carbide (SiC) |