FF3MR12KM1PHOSA1
Product Attributes
| Статус детали | Obsolete |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| FET Особенности | - |
| Корпус | Module |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Мощность - Максимальная | - |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Технология | Silicon Carbide (SiC) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 375A (Tc) |
| Поставщик Устройство Корпус | AG-62MM |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 2.83mOhm @ 375A, 15V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 5.15V @ 168mA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 1000nC @ 15V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 29800pF @ 25V |